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基于Viitex-5LX110验证平台实现FPGA硬件系统的设计

作者:365bet  来源:365bet体育  时间:2020-10-06 23:09  点击:

  设计的规模在不断扩大、复杂度在不断增加,与此同时,日益激烈的竞争使得今天的电子产品市场对产品进入市场的时间极为敏感。如何提高验证的效率已成为一个巨大的挑战。当前对ASIC设计者开放的3个主要验证选择是仿真(emulation)、模拟(simulation)和原型(prototypes)开发。随着FPGA的门数越来越高,功能越来越强大,使其成为了ASIC验证的强有力工具。

  本文基于Viitex-5 LX110验证平台的设计,探索了高性能FPGA硬件系统设计的一般性方法及流程,以提高FPGA的系统性能。

  利用FPGA可以很好地对ASIC的功能进行验证。通过常年对AISC原型验证平台的设计和测试发现,对于某些ASIC,特别是用于通信领域的ASIC,如果能够在原型验证阶段就可以在实际环境中对其性能进行严格的*估,对其采用的算法进行验证,便能够很好地保证芯片的性能,从而加快产品的上市时间。利用通用的FPGA验证平台,例如DiniGroup,其价格昂贵且与系统进行互联也比较困难,不满足对系统进行现场测试的高度集成性和便携性的要求。解决这一问题的最好方法就是,根据需求直接将FPGA集成到系统当中,设计出适用于现场*估测试的单板验证平台。

  Virtex-5 LX110包含17 280个Slice,110 592个log—ic cell,12个DCM和6个PLL;提供高达800个I/O引脚,23个I/O板块,其中每个I/O都可设置成差分输出。LX110支持多种I/O类型,需要根据系统不同模块的输入/输出特性选择合适的I/O类型,并将所用到的I/O进行合理的布局规划。各种不同I/0类型的电气特性约束严格限制了引脚位置的指定,同时I/O引脚的引出位置影响到BGA封装的板级走线,因此需要综合考虑以便对I/O引脚资源进行合理的划分。

  系统中的时钟信号通常是串扰和EMI问题的根源,因此需要对其进行合理的规划。时钟信号的完整性是保证系统正常工作的重要因素,在仿真中特别需要关注。利用FPGA提供的DCM资源可以减少系统所需的时钟信号器件,从而减少板级时钟网络。PCB布线时应注意将时钟信号和数据信号进行隔离,以避免串扰的产生。

  设计合理、适用的FPGA配置方案。Virtex-5提供的配置模式多达8种,本设计选用Xilinx公司提供的PROM配置芯片,通过JTAG接口将配置文件写入PROM中,系统上电后FPGA和PROM按所设定的配置模式将配置文件从PROM下载到FPGA里,利用FPOA+PROM的组合可以有效地简化配置电路设计。此外还可以通过JTAG接口对FPGA进行在线)模数转换模块

  ,支持高达105 Msps的采样速率,每路10位输出。(5)I/O接口模块

  系统为各种不同的I/O类型提供了相应的接口,支持LVCMOS33、LVCMOS25、LVDS_25类型的I/O。

  压(VCCINT)、I/O电压(VCCO)、辅助电路电压(VCCAUX)。其他如A/D电压、FPGA配置芯片电源(内核电压和I/O电压)、板级所需的时钟电路供电及指示灯供电电压,总共需提供8个电源。系统功能框图如图1所示。

  FPGA的可定制特性需要按特定应用进行原理图符号生成。首先,从特殊用途引脚的指定开始,例如电源、地引脚、参考电压引脚以及配置引脚等。只有对这些引脚的正确指定才能保证

  及走线的正确连接。下一步是将逻辑I/0和封装形式连接起来,可以利用FPGA的设计开发环境来指定,然后导入到PCB布板环境中。在FPGA的设计开发环境中,用户可以利用图形界面对引脚进行指定,然后在实现过程中,FPGA布局布线工具能自动地对引脚进行指定。在FPGA的设计开发环境中,能够进行DRC检验以保证引脚的合法性。

  接下来为FPGA创建结构化的原理图符号。由于FPGA本身I/0的复杂性和可配置性,将整个FPGA分割为多个子模块能够有效地减轻设计的复杂度,也便于管理和检查。图2显示了利用

  Dxdesigner’原理图符号生成向导生成模块化原理图符号的设计过程。原理图符号生成之后就可以在原理图设计环境进行原理图的设计,指定各个模块的连接关系。1.3 PCB叠层定义

  ◆芯片互联线的数据传输速率,信号的上升、下降时间对PCB材料、尺寸以及走线方式和制板工艺的限制;

  ◆成本问题(利用盲孔、盲埋孔、微通孔等工艺能有效地减少叠层数目,以达到降低成本的目的)。

  该设计中,与FPGA互联的信号线条,包括配置电路信号线、时钟信号线及其他I/O信号。选用上下两个走线层。考虑到多个电源供电,设置2个电源平面、2个地平面。整个PCB采用6层板结构设计,信号层目标阻抗50 Q。

  FPGA支持的速率越高,本身的资源密度越大,因此要关注应用中的散热管理问题。对FPGA的功率消耗进行估计,以决定是否需要散热系统。

  mater是一款基于Excel的软件,通过对设计资源的利用,包括逻辑资源、DCM、PLL、I/0类型、触发率(toggling rate),以及其他与FPGA设计密切相关的信息,对FPGA的功耗进行估算。图4为利用XPE进行设计功耗估算的截图。

  、通孔等等)进行信号完整性分析,目的是要*估和减小信号从驱动端到接收端的反射、串扰以及EMI/EMC等问题。通过仿真分析得到的约束形式能有效指导PCB布局布线工具进行layout设计。进行信号完整性分析,首先要确定与FPGA相接的外围器件的I/O特性及其约束,进而对FPGA采用何种I/0类型以及端接匹配机制有一个大致的了解,然后是通过仿真对采用的I/O类型及端接电路的各个参数进行定义及优化。(1)前仿线分析一般主要从高速信号、对时序要求较高的信号、走线最长的信号、负载最多的信号开始,因为这些信号线通常最容易引起SI问题。确定关键信号在仿真环境中建立起相应的拓扑模型。

  通过仿真能定义出最长连接走线以及其他满足噪声裕量(匹配电路、端接方式等)的网络属性。确定FPGA驱动缓冲特性,例如I/O标准、驱动能力以及回转率,使信号完整性问题、EMI/EMC问题最小化,同样也对接收端I/0属性进行定义。进行串扰仿真以保证相邻走线不会引起串扰问题。定义端节匹配方式。

  在PCB Layout完成之后还需要对整个布好的PCB板进行仿真,后仿真更强调对串扰和EMI的分析,如图7所示。只要任何一个网络不满足设计需求,就需要对该网络进行修改,设计新的走线路径,直至满足设计需求。

  ,以提供一条良好的供电路径。电流路径中的寄生电感是导致供电网络设计失败的根源(例如地弹噪声)。一种可能的情况是,IC信号应当发生翻转时却没有翻转;另一种更常见的情况是引起系统抖动(Jitter)变大,从而导致时序错误。在两种情况中,都将造成系统工作不正常或者超出设计规范定义的范围。

  首先检验FPGA的静态和瞬态电流需求,瞬态电流由设计的时钟域、DCM利用率、开关逻辑数目以及同时翻转输出(SimuItaneous Switch Output,SSO)等因素决定,静态和瞬态电流的大小可以利用XPE或XPower来取得。设计满足需求的电源去耦网络,并通过仿真确定所需

  值及其数量,同样,电容在板上的摆放位置对PDS的影响也很重要。图8表明了调整前后电源层阻抗的仿真结果。通过对电源去耦网络的悉心设计,可以有效降低FPGA工作频率范围内的电源阻抗。阻抗越低,意味着系统对瞬态电流的需求越能及时做出反应,因此也越能减小电源的供电噪声。图8是对电源VCCO对地的频率一阻抗曲线的仿真图。通过对电源去耦网络的设计,可以保证在400 MHz的范围内,电源阻抗值是小于目标阻抗的。

  随着布线密度的增加,很难对PCB的每个信号都进行物理连接检测,特别是对于BGA封装的芯片。另外,对高速信号添加测试点还会导致信号路径阻抗不连续,引起反射,从而使信号完整性降低。为解决这一矛盾,在设计中首先对FPGA和与其相连的外围电路的每个信号连接生成了一个测试设计,利用FPGA的逻辑资源对FPGA获取到的输入信号与期望的信号值进行比较,对所得的结果通过JTAG端口或者其他外围显示电路(如

  2 结 论本文对验证平台硬件设计中的FPGA相关分析进行了详尽描述。目的是通过设计流程前期的大量分析和仿真,将FPGA在整个设计系统的工作特性以及系统环境对FPGA的影响作用进行模拟,得出的结果转化为设计约束导人至PCB Layout的环境中,能有效地提高一次设计成功的机率。按照此流程设计的Virtex-5验证平台工作正常,达到了预期的设计目的。

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  基于Virtex-5 LX110验证平台实现FPGA性能的硬件系统设计

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  ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

  标准的参数搜索 易于访问密钥产品参数 部件号搜索用于直接访问特定的产品 数据表的下载离线咨询 来采样和购买 最喜欢的部分数字管理 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 适用于Android™或iOS™操作系统 在Wandoujia应用程序商店,为中国用户提供 在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS设备上使用的手机应用程序提供通过在线产品组合中的一个用户友好的替代搜索,驱动用户使用以及便携式设备顺利和简单的导航体验。参数搜索引擎允许用户快速识别出最适合其应用合适的产品。此应用程序可在谷歌播放,App Store和Wandoujia。...

  ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序

  ,零件编号和产品 技术数据表下载和离线咨询一系列的搜索功能 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表收藏栏目 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 可在安卓™和iOS™应用商店 ST-DIODE-FINDER是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索使用便携式设备的ST二极管的产品组合。您可以轻松地定义设备最适合使用参数或一系列的搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...

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  ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

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  ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产品查找用于移动设备

  于Android和iOS电话移动应用 友好的用户界面 的直观的产品的选择: MEMS和传感器 评估工具 应用 参数搜索使用多个过滤器 部件号搜索 访问技术文档 从ST经销商在线订购 通过电子邮件或社交媒体最喜欢的部分数字管理经验分享 支持的语言:英语(中国,日本和韩国即将推出) 在ST-SENSOR-FINDER提供移动应用程序的Android和iOS,提供用户友好的替代通过MEMS和传感器网络产品组合搜索,驱动用户一起顺利和简单的导航体验。...

  TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

  信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...

  AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...

  AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...

  AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...

  AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...

  信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

  信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...

  信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...

  信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...

  信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...

  28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...

  56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...

  信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...

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